Граніт - популярний матеріал, який використовується в напівпровідниковій галузі, особливо якщо мова йде про виробництво чутливого обладнання, що використовується у виробництві напівпровідникових мікросхем. Граніт відомий своїми видатними характеристиками, такими як висока стабільність, жорсткість та низький коефіцієнт теплового розширення. Однак він також вимагає спеціальної обробки поверхні, щоб вона була придатною для використання при виготовленні напівпровідникового обладнання.
Процес поверхневої обробки граніту передбачає полірування та покриття. По -перше, гранітна основа зазнає процесу полірування, щоб забезпечити гладку і без будь -яких грубих або пористих ділянок. Цей процес допомагає запобігти генерації частинок, що потенційно може забруднити чутливі комп'ютерні мікросхеми. Після того, як граніт відшліфований, він покритий матеріалом, стійким до хімічних речовин та корозії.
Процес покриття має вирішальне значення для забезпечення того, щоб забруднювачі не переносилися з гранітної поверхні до вироблених мікросхем. Цей процес передбачає обприскування захисного шару матеріалу над відшліфованою поверхнею граніту. Покриття забезпечує бар'єр між поверхнею граніту та будь -якими хімічними речовинами або іншими забрудненнями, які можуть контактувати з ним.
Ще одним критичним аспектом обробки гранітної поверхні є регулярне обслуговування. Гранітну основу потрібно регулярно очищати, щоб запобігти накопиченню пилу, бруду чи інших забруднень. Якщо залишити нечистих, забруднювачі можуть подряпати поверхню, або ще гірше, закінчуються на напівпровідниковому обладнанні, що впливає на його продуктивність.
Підводячи підсумок, граніт є важливим матеріалом у напівпровідниковій галузі, особливо у виготовленні напівпровідникового обладнання. Однак це вимагає спеціальної поверхневої обробки, яка передбачає полірування та покриття та регулярне обслуговування для запобігання забрудненню. При правильному обробці граніт забезпечує ідеальну основу для виробництва високоякісних напівпровідникових мікросхем, які не мають забруднення або дефектів.
Час посади: 25-2024 рр.